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FGH40N60SFD晶体管
FGH40N60SFDTU
晶体管 UGBT,MOSFET
类别 分立半导体产品
制造商 ON Semiconductor
详细描述
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型号:
FGH40N60SFDTU
IGBT 类型 场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.9V @ 15V,40A
功率 - 最大值 290W
开关能量 1.13mJ(开),310µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 120nC
25°C 时 Td(开/关)值 25ns/115ns
测试条件 400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 45ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装 TO-247-3
规格资料:
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