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FGH40N60SFD晶体管
FGH40N60SFDTU
晶体管  UGBT,MOSFET
类别 分立半导体产品  
制造商 ON Semiconductor 
型号:FGH40N60SFDTU 
IGBT 类型  场截止 
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80A 
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A 
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.9V @ 15V,40A 
功率 - 最大值 290W 
开关能量 1.13mJ(开),310µJ(关) 
输入类型 标准 
栅极电荷 120nC 
25°C 时 Td(开/关)值 25ns/115ns 
测试条件 400V,40A,10 欧姆,15V 
反向恢复时间(trr) 45ns 
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 
安装类型 通孔 
封装     TO-247-3 

规格资料:






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